士兰微双线突破 8英寸碳化硅产线通线+12英寸高端模拟芯片产线开工

时间：2026-01-06人气：作者：小鱼

2026年1月4日，士兰微在厦门市海沧区举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”，宣布在第三代半导体和高端模拟芯片两大关键领域实现里程碑式进展，将进一步提升我国集成电路产业的自主可控能力。

此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线，是士兰微自主研发且规模化量产的核心产线，成功突破了8英寸碳化硅晶圆制造过程中的多项核心工艺难题，标志着公司在第三代半导体领域实现从技术突破到规模化交付的关键跨越。该项目总投资120亿元，分两期建设，一期设计产能每年42万片晶圆，全部达产后将形成年产72万片晶圆的生产能力，重点服务于新能源汽车、光伏、储能、AI服务器电源等热门应用场景。

同步开工的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目，是士兰微完善半导体产业链的又一重大布局。项目规划总投资200亿元，分两期实施，达产后将合计实现月产能4.5万片（年产54万片）。当前国内高端模拟芯片市场国产化率较低，该项目的投建将加快高端模拟芯片国产化替代进程，助力满足新能源汽车、大型算力服务器、机器人等产业领域的快速发展需求。

士兰微电子董事长陈向东表示，两条产线的推进不仅是产能的扩充，更是公司与客户构建技术协同、供应稳定合作体系的重要基础。据了解，士兰微以国际先进IDM大厂为标杆，目标成为具有自主品牌和国际一流竞争力的综合性半导体产品供应商。华泰证券研报指出，“十五五”期间，士兰微持续规划数百亿资本开支，将不断提升作为头部模拟/功率IDM公司的核心竞争力。

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标签：士兰微；碳化硅；8英寸产线；12英寸高端模拟芯片；国产化替代；半导体