我国首台串列型高能氢离子注入机成功出束半导体核心装备再添自主成果

时间：2026-01-17人气：作者：小鱼

财联社2026年1月17日电中核集团今日披露，由中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）近日成功出束，核心指标达到国际先进水平，标志着我国已全面掌握该类型设备的全链路研发、制造技术，为高端半导体装备自主可控及产业链安全筑牢根基。

离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为芯片制造“四大核心装备”，是半导体制造流程中不可或缺的关键设备，直接影响芯片性能与良率。此次研制的POWER-750H属于串列型高能机型，针对功率半导体等关键领域需求设计，其成功出束打破了海外厂商在高能离子注入机领域的垄断格局，实现了核技术与半导体产业的深度融合。

据中核集团相关负责人介绍，该设备历经多年技术攻关，攻克了高能粒子加速、精准控制等多项核心难题，后续将逐步投入产业化应用，不仅能提升我国功率半导体领域的自主保障能力，还将为“双碳”目标实现、新质生产力培育提供重要技术支撑。

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